IRFR110
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
132 руб.
от 100 шт. —
111.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, . 100В 4,7A 25Вт TO252AA Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.3A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRFR110 -> |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Package | Tube |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 762 КБ
Datasheet
pdf, 754 КБ
Datasheet IRFR110PBF
pdf, 772 КБ
Документация
pdf, 742 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
