IRL40SC228 Транзистор полевой MOSFET

Фото 1/2 IRL40SC228 Транзистор полевой MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт.640 руб.
Добавить в корзину 15 шт. на сумму 10 650 руб.
Номенклатурный номер: 8029137668
Артикул: IRL40SC228

Описание

HEXFET® Power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.

• Optimized for logic level drive
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 500мкОм
Power Dissipation 416Вт
Квалификация -
Количество Выводов 7вывод(-ов)
Линейка Продукции StrongIRFET
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 360А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.4В
Рассеиваемая Мощность 416Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 500мкОм
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Channel Mode Enhancement
Maximum Continuous Drain Current 557 A
Maximum Drain Source Resistance 0.00065 Ω
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK-7
Pin Count 7
Series HEXFET
Transistor Material Silicon
Continuous Drain Current 557(A)
Drain-Source On-Volt 40(V)
Gate-Source Voltage (Max) ±20(V)
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -55C to 175C
Operating Temperature Classification Military
Packaging Tape and Reel
Polarity N
Rad Hardened No
Type Power MOSFET
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 650 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов