IRL40SC228 Транзистор полевой MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 100 шт. —
640 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 10 650 руб.
Описание
HEXFET® Power MOSFET suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
• Optimized for logic level drive
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 500мкОм |
Power Dissipation | 416Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 7вывод(-ов) |
Линейка Продукции | StrongIRFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
Непрерывный Ток Стока | 360А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.4В |
Рассеиваемая Мощность | 416Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 500мкОм |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 557 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.00065 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK-7 |
Pin Count | 7 |
Series | HEXFET |
Transistor Material | Silicon |
Continuous Drain Current | 557(A) |
Drain-Source On-Volt | 40(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Packaging | Tape and Reel |
Polarity | N |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары