BSS138PS,115, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1402 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
9 руб.
Мин. кол-во для заказа 51 шт.
от 261 шт. —
7 руб.
от 521 шт. —
5.80 руб.
от 1041 шт. —
5.10 руб.
Добавить в корзину 51 шт.
на сумму 459 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А
Технические параметры
| Корпус | SOT-363 | |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В | |
| Непрерывный Ток Стока | 320мА | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.2В | |
| Рассеиваемая Мощность | 420мВт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.9Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 | |
| Brand: | Nexperia | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 320 mA | |
| Manufacturer: | Nexperia | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 2 Channel | |
| Package / Case: | TSSOP-6 | |
| Part # Aliases: | 934064989115 | |
| Pd - Power Dissipation: | 320 mW | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 720 pC | |
| Qualification: | AEC-Q101 | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | N-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.6 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 320 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Pin Count | 6 | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.72 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.35mm | |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
