SSM6N7002BFE,LM, Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R

SSM6N7002BFE,LM, Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.2A 6-Pin ES T/R
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7326 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
44 руб.
39 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.27.70 руб.
от 25 шт.25.40 руб.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 117 руб.
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8002210146
Артикул: SSM6N7002BFE,LM
Производитель: Toshiba

Описание

МОП-транзистор ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 200 mA
Pd - рассеивание мощности 150 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.5 V
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.55 mm
Длина 1.6 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 2 Channel
Коммерческое обозначение U-MOSIV
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 4000
Серия SSM6N7002
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 2 N-Channel
Торговая марка Toshiba
Упаковка / блок ES6-6
Ширина 1.2 mm

Техническая документация

Datasheet SSM6N7002BFE.LM
pdf, 191 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах