SSM6N7002BFE,LM, MOSFET ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
129890 шт., срок 7-9 недель
98 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 98 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор ES6 S-MOS TRSTR Pd: 0.15W F: 1MHz
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.55 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | U-MOSIV |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Серия | SSM6N7002 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 2100@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| Pin Count | 6 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | ES |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 17@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 14.5 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.3 |
| Вес, г | 0.003 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 190 КБ
Datasheet SSM6N7002BFE.LM
pdf, 191 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
