SSM3K116TU,LF, Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 290 шт.
Добавить в корзину 290 шт.
на сумму 31 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор High Speed Switching
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.7 mm |
Длина | 2 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SSM3K116 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 15 ns |
Типичное время задержки при включении | 9 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | UFM-3 |
Ширина | 1.7 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3K116TU.LF
pdf, 156 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.