2SCR554P5T100
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
349 шт., срок 7-9 недель
43 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 344 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 1.5A Ic MPT3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR554P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 at 100 mA, 3 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Base Product Number | 2SCR554 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1ВµA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 500mW |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 25mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
| Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
