FS75R12KT3GBOSA1, Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 020 руб.
от 5 шт. —
44 560 руб.
от 10 шт. —
42 350 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 50 020 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\IGBT Transistors\IGBT Module
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 355W 35-Pin ECONO3-4 Tray
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Hex |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 1200 |
| Maximum Continuous Collector Current (A) | 100 |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA) | 0.4 |
| Maximum Gate Emitter Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 355 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mounting | Screw |
| Packaging | Tray |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 35 |
| Pin Count | 35 |
| PPAP | No |
| Supplier Package | ECONO3-4 |
| Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V) | 1.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 423 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
