IRFI644GPBF, Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
от 19 шт. —
232 руб.
от 38 шт. —
223 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 250В 7.9А 40Вт 0.28 Ом
Технические параметры
Корпус | TO-220F | |
Id - непрерывный ток утечки | 7.9 A | |
Pd - рассеивание мощности | 40 W | |
Qg - заряд затвора | 68 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 280 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | IRFI | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Lead Shape | Through Hole | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 7.9 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 280@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 250 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 3 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Supplier Package | TO-220FP | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 24 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 68(Max) | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 68(Max)@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@25V | |
Typical Rise Time (ns) | 24 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 53 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов