BCP5616TA, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт

Фото 1/5 BCP5616TA, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 99 шт.20 руб.
от 198 шт.18 руб.
от 396 шт.16 руб.
Добавить в корзину 19 шт. на сумму 475 руб.
Номенклатурный номер: 8002410621
Артикул: BCP5616TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А, 2Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
PCB changed 3
Package Height 1.55
Mounting Surface Mount
Tab Tab
Package Width 3.5
Package Length 6.5
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 80
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 100@150mA@2V|25@500mA@2V|40@150mA@2V|25@5mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Supplier Package SOT-223
Pin Count 4
Military No
Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25 at 5 mA at 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250 at 150 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 125 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP56
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Base Product Number BCP5616 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 80V
Maximum DC Collector Current 1A
Pd - Power Dissipation 2W
Вес, г 0.112

Техническая документация

Datasheet
pdf, 42 КБ
Datasheet
pdf, 375 КБ
Datasheet
pdf, 372 КБ
Datasheet
pdf, 424 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов