AON7254

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 руб.

от 2 шт. — 310 руб.

от 5 шт. — 241 руб.

от 10 шт. — 215.46 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.

Номенклатурный номер: 8002444440

Электроэлемент

Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 150В, 11А, 15,6Вт, DFN-8 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	11
Напряжение сток-исток, В	150
Мощность, Вт	15.6
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.054
Корпус	DFN8

Automotive	Unknown
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current - (A)	17
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	54@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	150
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	2.7
Maximum Power Dissipation - (mW)	39000
Military	No
Number of Elements per Chip	1
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Process Technology	AlphaMOS
Standard Package Name	DFN
Supplier Package	DFN EP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	11.5
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	11.5@10VI5.5@4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	675@75V
Case	DFN3.3x3.3
Drain current	11A
Drain-source voltage	150V
Gate charge	5.6nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Manufacturer	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Mounting	SMD
On-state resistance	54mΩ
Polarisation	unipolar
Power dissipation	15.6W
Type of transistor	N-MOSFET

pdf, 270 КБ

Мы рекомендуем