DMC2004DWK-7

Фото 1/3 DMC2004DWK-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 33 шт.
Добавить в корзину 33 шт. на сумму 363 руб.
Номенклатурный номер: 8024049978
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание Транзистор полевой DMC2004DWK-7 от DIODES INCORPORATED является высококачественным компонентом для современных электронных схем. Монтаж данного транзистора осуществляется с использованием SMD технологии, что гарантирует его легкую интеграцию в печатные платы. Ток стока достигает 0,54 А, напряжение сток-исток составляет 20 В, а мощность - 0,25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,55 Ом. Этот компонент представляет собой N+P-MOSFET транзистор в корпусе SOT363, что делает его идеальным выбором для различных областей применения, где требуются компактные и эффективные решения. Код товара DMC2004DWK7 должен стать ключевым при выборе для проектов, требующих надежных и долговечных компонентов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N+P-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 0.54
Напряжение сток-исток, В 20
Мощность, Вт 0.25
Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.55
Корпус SOT363

Технические параметры

Case SOT363
Drain current 0.43/-0.54A
Drain-source voltage 20/-20V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Kind of transistor complementary pair
Manufacturer DIODES INCORPORATED
Mounting SMD
On-state resistance 0.55/0.9Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.25W
Type of transistor N/P-MOSFET
Channel Mode Enhancement
Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 430 mA, 540 mA
Maximum Drain Source Resistance 2 Ω, 900 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 250 mW
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Width 1.35mm

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 351 КБ
Datasheet
pdf, 346 КБ