IXBH10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 160 руб.
от 3 шт. —
2 470 руб.
от 10 шт. —
2 020 руб.
от 30 шт. —
1 839.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 160 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 30nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 140W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 1.8µs |
| Turn-on time | 63ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 529 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
