IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

420 руб.

от 5 шт. — 330 руб.

от 25 шт. — 257 руб.

от 100 шт. — 214.04 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 420 руб.

Номенклатурный номер: 8002503364

Артикул: IGB10N60TATMA1

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.

Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
Maximum Continuous Collector Current	10 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	110 W
Minimum Operating Temperature	-40 °C
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Switching Speed	1MHz
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1.99