VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 40А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 670 руб.
от 3 шт. —
10 770 руб.
от 10 шт. —
9 570 руб.
от 24 шт. —
8 413.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 12 670 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 40А Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Application | Inverter |
Case | V1-A-Pack |
Collector current | 40A |
Electrical mounting | FASTON connectors |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | IXYS |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Mechanical mounting | screw |
Power dissipation | 195W |
Pulsed collector current | 105A |
Semiconductor structure | diode/transistor |
Type of module | IGBT |
Вес, г | 37.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 358 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов