IXYY8N90C3, Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
от 3 шт. —
690 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 780 руб.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 900В, 8А, 125Вт, TO252 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 900 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 70 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | Planar |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | XPT |
| Вес, г | 0.31 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 178 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
