AS4C32M16D1A-5TIN, IC: DRAM memory; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40?95°C

Фото 1/2 AS4C32M16D1A-5TIN, IC: DRAM memory; 32Mx16bit; 2.5V; 200MHz; TSOP66 II; -40?95°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 670 руб.
от 5 шт.1 430 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 670 руб.
Номенклатурный номер: 8002513139
Артикул: AS4C32M16D1A-5TIN

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
Описание Микросхема памяти AS4C32M16D1A-5TIN от производителя ALLIANCE MEMORY — это высококачественный DDR1 SDRAM компонент, предназначенный для SMD монтажа. С частотой 200 МГц и объемом памяти 512Мбит, этот модуль обеспечивает надежное хранение данных при минимальном и максимальном напряжении питания 2,5 В. Упакованный в компактный корпус TSOP66, он идеально подходит для различных областей применения, требующих высокой производительности и небольшого энергопотребления. Код товара AS4C32M16D1A5TIN подчеркивает его уникальность и облегчает поиск среди аналогов. Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SDRAM, DDR1
Монтаж SMD
Частота, МГц 200
Объем памяти 512Мбит
Мин.напряжение питания, В 2.5
Макс.напряжение питания, В 2.5
Корпус TSOP66

Технические параметры

Access Time 700ps
Clock Frequency 200MHz
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (32M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 66-TSOP II
Technology SDRAM - DDR
Voltage - Supply 2.3V ~ 2.7V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Manufacturer Alliance Memory, Inc.
Packaging Tray
Part Status Active
Series -
Вес, г 0.57

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1448 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем