IRFI9Z34GPBF, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -8,5А, 42Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 3 шт. —
250 руб.
от 10 шт. —
212 руб.
от 50 шт. —
168.28 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа P\Транзисторы с каналом P THT
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -8,5А, 42Вт, TO220FP Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Pd - рассеивание мощности | 42 W |
Qg - заряд затвора | 34 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFI |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 140@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 42000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO |
Supplier Package | TO-220FP |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 58 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@25V |
Typical Rise Time (ns) | 120 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
Вес, г | 2.093 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 818 КБ
Datasheet IRFI9Z34GPBF
pdf, 769 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов