SI4800BDY-T1-E3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
86 руб.
от 500 шт. —
71.93 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 7А, 2,5Вт, SO8 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SO8 |
| Drain current | 7A |
| Drain-source voltage | 30V |
| Gate charge | 13nC |
| Gate-source voltage | ±25V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 30mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 2.5W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.189 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 247 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
