IXFH120N15P, Транзистор N-MOSFET, 150В, 120А, 600Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 070 руб.
от 3 шт. —
1 640 руб.
от 10 шт. —
1 400 руб.
от 30 шт. —
1 309.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 070 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 120A |
| Drain-source voltage | 150V |
| Gate charge | 150nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 16mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 600W |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 6.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
