BAV21,133, Диод: импульсный, THT, 250В, 250мА, Ammo Pack, Ifsm: 9А, DO35, 50нс

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3435 шт., срок 7 недель

81 руб.

от 3 шт. — 64 руб.

от 10 шт. — 45 руб.

от 25 шт. — 24.67 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 81 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8002523548

Артикул: BAV21,133

Semiconductors\Diodes\Universal diodes\THT universal diodes

Описание Диод: импульсный, THT, 250В, 250мА, Ammo Pack, Ifsm: 9А, DO35, 50нс Характеристики

Case	DO35
Features of semiconductor devices	fast switching
Kind of package	Ammo Pack
Load current	250mA
Manufacturer	NEXPERIA
Max. forward impulse current	9A
Max. forward voltage	1.25V
Max. off-state voltage	250V
Mounting	THT
Reverse recovery time	50ns
Semiconductor structure	single diode
Type of diode	switching
Base Product Number	BAV21 ->
Capacitance @ Vr, F	5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io)	250mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr	100nA @ 200V
Diode Type	Standard
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature - Junction	175В°C (Max)
Package	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
Package / Case	DO-204AH, DO-35, Axial
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	50ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Speed	Fast Recovery = 200mA (Io)
Supplier Device Package	ALF2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.25V @ 200mA
If - Forward Current	250mA
Peak Reverse Voltage	200V
Vf - Forward Voltage	1.25V @ 200mA
Вес, г	0.12