SPP80P06PHXKSA1, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 80A 340Вт 0,023Ом TO220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 310 руб.
от 3 шт. —
1 160 руб.
от 10 шт. —
902 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 310 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой SPP80P06PHXKSA1 от производителя INFINEON – это надежный N-MOSFET компонент, ориентированный на монтаж THT. Способный выдержать ток стока до 80А и напряжение сток-исток 60В, он идеален для задач с высокой нагрузкой. С мощностью в 340Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,023 Ом, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобство установки. Используйте SPP80P06PHXKSA1 для повышения производительности ваших электронных схем. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 80 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 340 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.023 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Forward Diode Voltage | 1.6V |
| Maximum Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 23 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 340 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Series | SIPMOS |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 115 nC @ 10 V |
| Width | 4.57mm |
| Вес, г | 2.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet SPP80P06PHXKSA1
pdf, 606 КБ
