IRFD420PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 500В 0,37A 1,3Вт 3Ом DIP4

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

270 руб.

от 5 шт. — 200 руб.

от 25 шт. — 169 руб.

от 100 шт. — 131.63 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 270 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002526738

Артикул: IRFD420PBF

МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET HEXDI

Id - непрерывный ток утечки	370 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	24 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	IRFD
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	DIP-4
Brand	Vishay Semiconductors
Factory Pack Quantity	2500
Manufacturer	Vishay
Packaging	Tube
Product Category	MOSFET
RoHS	Details
Technology	Si
Вес, г	0.32