SKM400GAL12E4, Транзистор БТИЗ, 12кВ, 618А, SEмITrans3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
43 420 руб.
от 3 шт. —
39 950 руб.
от 8 шт. —
34 870 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 43 420 руб.
Описание
SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 618 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Panel Mount |
| Package Type | SEMITRANS3 |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 303.2 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
