IXFK170N10P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO264

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 810 руб.

от 3 шт. — 3 040 руб.

от 10 шт. — 2 440 руб.

от 25 шт. — 2 140.11 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 810 руб.

Номенклатурный номер: 8002531569

Артикул: IXFK170N10P

Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 100В, 170А, 715Вт, TO264 Характеристики

Brand:	IXYS
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	25
Fall Time:	33 ns
Forward Transconductance - Min:	45 S
Id - Continuous Drain Current:	170 A
Manufacturer:	IXYS
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-264-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	714 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	198 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	9 mOhms
Rise Time:	50 ns
Series:	HiPerFET
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	HiPerFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	90 ns
Typical Turn-On Delay Time:	35 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	5 V
Вес, г	9.74