IGP40N65F5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 45А, 125Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
930 руб.
от 3 шт. —
810 руб.
от 10 шт. —
634 руб.
от 50 шт. —
539.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 930 руб.
Описание
Описание Транзистор БТИЗ IGP40N65F5XKSA1 от производителя INFINEON – высокоэффективный компонент для электронных схем. Данный полупроводниковый прибор отличается монтажом типа THT, обеспечивая простую и надежную пайку в отверстия печатной платы. Транзистор способен управлять током коллектора до 45 А и выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 650 В, что делает его подходящим для мощных применений. Мощность устройства составляет 125 Вт, благодаря чему оно способно работать в условиях высоких нагрузок. Вид IGBT указывает на использование технологии биполярных транзисторов с изолированным затвором, что обеспечивает лучшую производительность при высоких температурах и частотах. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобную интеграцию в различные типы устройств. Находите IGP40N65F5XKSA1 в нашем ассортименте и убедитесь в надежности и эффективности этого транзистора от INFINEON. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 45 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
Мощность, Вт | 125 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGP40N65F5 SP000973422 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 74 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | TRENCHSTOP 5 F5 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов