IGP40N65F5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 45А, 125Вт, PG-TO220-3

Фото 1/2 IGP40N65F5XKSA1, Транзистор БТИЗ, 650В, 45А, 125Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
930 руб.
от 3 шт.810 руб.
от 10 шт.634 руб.
от 50 шт.539.01 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 930 руб.
Номенклатурный номер: 8002532370
Артикул: IGP40N65F5XKSA1

Описание

Описание Транзистор БТИЗ IGP40N65F5XKSA1 от производителя INFINEON – высокоэффективный компонент для электронных схем. Данный полупроводниковый прибор отличается монтажом типа THT, обеспечивая простую и надежную пайку в отверстия печатной платы. Транзистор способен управлять током коллектора до 45 А и выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 650 В, что делает его подходящим для мощных применений. Мощность устройства составляет 125 Вт, благодаря чему оно способно работать в условиях высоких нагрузок. Вид IGBT указывает на использование технологии биполярных транзисторов с изолированным затвором, что обеспечивает лучшую производительность при высоких температурах и частотах. Корпус PG-TO220-3 гарантирует удобную интеграцию в различные типы устройств. Находите IGP40N65F5XKSA1 в нашем ассортименте и убедитесь в надежности и эффективности этого транзистора от INFINEON. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 45
Напряжение коллектор-эмиттер, В 650
Мощность, Вт 125
Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IGP40N65F5 SP000973422
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 74 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 500
Серия TRENCHSTOP 5 F5
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.04

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2249 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов