VND5N07-E, IC: power switch; low-side; Ch: 1; SMD; DPAK; 3.5A; 55V; 200m?
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 шт., срок 7 недель
690 руб.
от 5 шт. —
580 руб.
от 25 шт. —
436 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Integrated circuits\Analog and mixed integrated circuits\MOSFET/IGBT drivers
Описание IC: power switch; low-side; Ch: 1; SMD; DPAK; 3.5A; 55V; 200m? Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | драйвер |
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Kind of integrated circuit | low-side |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| Number of channels | 1 |
| On-state resistance | 0.2Ω |
| Output current | 3.5A |
| Output voltage | 55V |
| Type of integrated circuit | power switch |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 40 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4 S |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Rise Time | 60 ns |
| RoHS | Details |
| Series | VND5N07-E |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Power Mosfet |
| Typical Turn-Off Delay Time | 150 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 50 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 70 V |
| Input Voltage | 55V |
| Number of Outputs | 1 |
| Operating Temperature - | -40℃~+150℃ |
| Resistor On-State | 200mΩ |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Документация
pdf, 612 КБ
Datasheet VND5N07-E
pdf, 368 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
