IRFP3415PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 43А, 200Вт, TO247AC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
от 5 шт. —
600 руб.
от 25 шт. —
464 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFP3415PBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для мощных электронных схем. Оснащенный корпусом TO247AC для монтажа THT, этот N-MOSFET транзистор способен управлять током стока до 43А и выдерживает напряжение сток-исток до 150В. С мощностью 200Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,042 Ом, IRFP3415PBF обеспечивает эффективную работу и минимальные потери энергии. Идеален для применения в источниках питания, преобразователях и других высоковольтных применениях. Уникальный код товара IRFP3415PBF подтверждает подлинность и качество каждого экземпляра. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 43 |
Напряжение сток-исток, В | 150 |
Мощность, Вт | 200 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.042 |
Корпус | TO247AC |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.042Ом |
Power Dissipation | 200Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
Непрерывный Ток Стока | 43А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.042Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247AC |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 43A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 25V |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Bulk |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 200W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 22A, 10V |
Series | HEXFETВ® |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 43A |
Maximum Drain Source Voltage | 43 A |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 7.15 |
Техническая документация
Datasheet IRFP3415PBF
pdf, 167 КБ
Datasheet IRFP3415PBF
pdf, 161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов