AS4C64M8SC-7TIN, IC: DRAM memory; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40?85°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 900 руб.
от 5 шт. —
4 170 руб.
от 25 шт. —
3 550 руб.
от 108 шт. —
2 615.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 900 руб.
Описание
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
Описание IC: DRAM memory; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40?85°C Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | DRAM |
Технические параметры
Access Time | 17ns |
Clock Frequency | 133MHz |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0028 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 512Mb (64M x 8) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 54-TSOP II |
Technology | SDRAM |
Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Access Time: | 17 ns |
Brand: | Alliance Memory |
Data Bus Width: | 8 bit |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 108 |
Manufacturer: | Alliance Memory |
Maximum Clock Frequency: | 133 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 512 Mbit |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organisation: | 64 M x 8 |
Package/Case: | TSOP-54 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | DRAM |
Product Type: | DRAM |
Series: | AS4C64M8SC |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 60 mA |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
Supply Voltage - Min: | 3 V |
Type: | SDRAM |
Вес, г | 0.55 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем