AS4C64M8SC-7TIN, IC: DRAM memory; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40?85°C

Фото 1/3 AS4C64M8SC-7TIN, IC: DRAM memory; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40?85°C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 900 руб.
от 5 шт.4 170 руб.
от 25 шт.3 550 руб.
от 108 шт.2 615.52 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 900 руб.
Номенклатурный номер: 8002542997
Артикул: AS4C64M8SC-7TIN

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти DRAM - микросхемы
Описание IC: DRAM memory; 64Mx8bit; 3.3V; 133MHz; TSOP54 II; -40?85°C Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид DRAM

Технические параметры

Access Time 17ns
Clock Frequency 133MHz
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0028
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (64M x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 54-TSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 54-TSOP II
Technology SDRAM
Voltage - Supply 3V ~ 3.6V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Access Time: 17 ns
Brand: Alliance Memory
Data Bus Width: 8 bit
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 108
Manufacturer: Alliance Memory
Maximum Clock Frequency: 133 MHz
Maximum Operating Temperature: +85 C
Memory Size: 512 Mbit
Minimum Operating Temperature: -40 C
Moisture Sensitive: Yes
Mounting Style: SMD/SMT
Organisation: 64 M x 8
Package/Case: TSOP-54
Packaging: Tray
Product Category: DRAM
Product Type: DRAM
Series: AS4C64M8SC
Subcategory: Memory & Data Storage
Supply Current - Max: 60 mA
Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 3 V
Type: SDRAM
Вес, г 0.55

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1292 КБ
Datasheet
pdf, 1468 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем