BPW76B, Фототранзистор, TO18, 4,7мм, -p макс: 850нм, 70В, 40°
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 руб.
от 5 шт. —
510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 590 руб.
Описание
Oптоэлектроника\Фотоэлементы\Фототранзисторы
Описание Фототранзистор, TO18, 4,7мм, -p макс: 850нм, 70В, 40°
Технические параметры
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.40.70.40 |
| Type | Chip |
| Phototransistor Type | Phototransistor |
| Lens Shape Type | Flat |
| Material | Silicon |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Polarity | NPN |
| Half Intensity Angle Degrees (°) | 80 |
| Viewing Orientation | Top View |
| Peak Wavelength (nm) | 850 |
| Maximum Light Current (uA) | 1200(Typ) |
| Maximum Collector Current (mA) | 50 |
| Maximum Dark Current (nA) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Fabrication Technology | NPN Transistor |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 125 |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-206AA |
| Mounting | Through Hole |
| Diameter | 5.5 |
| Package Height | 6.15 |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 0.34 |
Техническая документация
Datasheet BPW76B
pdf, 148 КБ
