IPD034N06N3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
250 руб.
от 30 шт. —
221 руб.
от 100 шт. —
191.74 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 600 руб.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 100A |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Package / Case | TO-252-2(DPAK) |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 167W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4mΩ @ 100A, 10V |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4V @ 93uA |
| Case | PG-TO252-3 |
| Drain current | 100A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 3.4mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 167W |
| Technology | OptiMOS™ 3 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
