FDB2532, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 150В, 56А, 310Вт, D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 5 шт. —
910 руб.
от 25 шт. —
737 руб.
от 100 шт. —
660.12 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой FDB2532 от производителя ONSEMI представляет собой высокопроизводительный компонент, идеально подходящий для различных электронных схем. Монтаж данного компонента осуществляется при помощи SMD-технологии, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током стока в 79 А и напряжением сток-исток в 150 В, этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать значительные электрические нагрузки, при этом обладая мощностью в 310 Вт. Низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,014 Ом, сводит к минимуму потери энергии, что делает FDB2532 идеальным выбором для энергоэффективных применений. Корпус D2PAK обеспечивает надежную механическую защиту и теплоотвод. Ваш выбор модели FDB2532 гарантирует отличную производительность и надежность для вашего проекта. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 79 |
| Напряжение сток-исток, В | 150 |
| Мощность, Вт | 310 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.014 |
| Корпус | D2PAK |
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 79 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Part # Aliases: | FDB2532_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 310 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14 mOhms |
| REACH - SVHC: | Details |
| Rise Time: | 30 ns |
| Series: | FDB2532 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 39 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 48 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| Width | 11.33mm |
| Вес, г | 2.087 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
