YJS2301A, Транзистор P-MOSFET x2, TRENCH POWER LV, полевой, -20В, -3А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1500 шт., срок 6 недель
23 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
18 руб.
от 500 шт. —
14 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 460 руб.
Номенклатурный номер: 8002555248
Артикул: YJS2301A
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\Multi channel transistors
Технические параметры
| Case | SOT23-6 |
| Drain current | -3A |
| Drain-source voltage | -20V |
| Gate charge | 4.3nC |
| Gate-source voltage | ±10V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | YANGJIE TECHNOLOGY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 95mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.3W |
| Pulsed drain current | -16A |
| Technology | TRENCH POWER LV |
| Type of transistor | P-MOSFET x2 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
