IRF9530PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 100В 12A 88Вт 0,3Ом TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
от 3 шт. —
170 руб.
от 10 шт. —
141 руб.
от 50 шт. —
111.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, 100В 12A 88Вт 0,3Ом TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Корпус | TO220AB |
| Крутизна характеристики S,А/В | 3.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 88 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -100 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -12 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 300 |
| Структура | P-канал |
| Температура, С | -55…+175 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 7.2A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 300 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 88 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Width | 4.7mm |
| Вес, г | 1.97 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 154 КБ
IRF9530 Datasheet
pdf, 173 КБ
Документация
pdf, 281 КБ
Datasheet IRF9530
pdf, 153 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
