TK56E12N1, Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 шт., срок 7 недель
730 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 730 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 120В, 56А, 168Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | 56A |
| Drain-source voltage | 120V |
| Gate charge | 69nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 5.8mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 168W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 1.96 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 256 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
