MGSF1N02LT1G, Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 750мА, 400мВт, SOT23-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 25 шт. —
65 руб.
от 100 шт. —
46 руб.
от 500 шт. —
38.31 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 20В, 750мА, 400мВт, SOT23-6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | SOT23-3 |
| Drain current | 0.75A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 6nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.4W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 750 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.02 |
