IXBH10N300HV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 400 руб.

от 3 шт. — 17 970 руб.

от 10 шт. — 15 420 руб.

от 30 шт. — 14 041.05 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 400 руб.

Номенклатурный номер: 8002557964

Артикул: IXBH10N300HV

Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV Характеристики

Pd - рассеивание мощности	180 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	3 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	34 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	88 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка / блок	TO-247HV-3
Вес, г	6.36

Мы рекомендуем