IGW15N120H3FKSA1, Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 217Вт, TO247-3, Серия: H3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 390 руб.
от 3 шт. —
1 200 руб.
от 10 шт. —
945 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 390 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW15N120H3FKSA1 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент, предназначенный для силовой электроники. Устройство обладает максимальным током коллектора 30 А и напряжением коллектор-эмиттер 1 200 В, что позволяет эффективно использовать транзистор в сложных электротехнических системах. Мощность устройства составляет 217 Вт, что гарантирует его надежность и долговечность. Монтаж данного компонента производится с помощью технологии THT, что упрощает его интеграцию в печатные платы. Корпус PG-TO247-3 характеризуется высокой прочностью и отличной теплоотдачей. Применение транзистора IGBT IGW15N120H3FKSA1 охватывает широкий спектр применений, включая преобразователи частоты, системы бесперебойного питания и электроприводы. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 30 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 217 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Manufacturer series | H3 |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 217W |
| Technology | TRENCHSTOP™ 3 |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6.09 |
Техническая документация
Datasheet IGW15N120H3FKSA1
pdf, 2007 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
