VN0550N3-G, Транзистор МОП n-канальный, 500В, 150мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
от 5 шт. —
190 руб.
от 25 шт. —
169 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 260 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V 60Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 50 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 585 КБ
