IGP20N65F5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 42А, 125Вт, PG-TO220-3

Фото 1/2 IGP20N65F5XKSA1, Транзистор БТИЗ, биполярный, 650В, 42А, 125Вт, PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
650 руб.
от 3 шт.530 руб.
от 10 шт.417 руб.
от 25 шт.366.48 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 650 руб.
Номенклатурный номер: 8002569222
Артикул: IGP20N65F5XKSA1

Описание

Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGP20N65F5XKSA1 производства компании INFINEON – это высококачественный полупроводниковый компонент, предназначенный для использования в силовой электронике. С монтажом типа THT, этот IGBT транзистор обеспечивает надёжное соединение и простоту установки. С током коллектора на уровне 42 А и напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, он идеально подойдет для работы в мощных устройствах. Его мощность составляет 125 Вт, что позволяет использовать его в широком спектре применений. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и надежную работу компонента. Модель IGP20N65F5XKSA1 отличается высокой эффективностью и долговечностью, что делает его востребованным компонентом в различных электронных схемах. Характеристики
Категория Транзистор
Тип БТИЗ
Вид IGBT
Монтаж THT
Ток коллектора, А 42
Напряжение коллектор-эмиттер, В 650
Мощность, Вт 125
Корпус PG-TO220-3

Технические параметры

Case TO220-3
Collector current 42A
Collector-emitter voltage 650V
Gate-emitter voltage ±20V
Kind of package tube
Manufacturer INFINEON TECHNOLOGIES
Manufacturer series F5
Mounting THT
Power dissipation 125W
Technology TRENCHSTOP™ 5
Type of transistor IGBT
Вес, г 2.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2051 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов