FOD817B, Оптрон, THT, Каналы 1, Вых транзисторный, Uизол 5кВ, Uce 70В, DIP4
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
67 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 300 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги20
Описание
Описание Оптопара транзисторная FOD817B от производителя ONSEMI обладает высокими показателями CTR@If в диапазоне 130-260% при 5mA. Это одноканальное устройство с транзисторным выходом, способное выдерживать выходное напряжение до 70В. Время включения и выключения составляет всего 4 мкс, что делает FOD817B идеальным выбором для быстродействующих систем. Напряжение изоляции достигает 5 кВ, обеспечивая надежное разделение электрических цепей. Корпус DIP4 и монтаж THT делают его удобным для применения в различных областях применения, включая связь и автоматизацию. Модель FOD817B представляет собой надежное решение для систем, требующих высококачественной изоляции сигналов. Характеристики
| Категория | Оптопара |
| Тип | транзисторная |
| CTR@If | 130-260%@5mA |
| Вид выхода | транзистор |
| Кол-во каналов | 1 |
| Выходное напряжение макс., В | 70 |
| Время включения, мкс | 4 |
| Время выключения, мкс | 4 |
| Напряжение изоляции, кВ | 5 |
| Монтаж | THT |
| Корпус | DIP4 |
Технические параметры
| Input Type | DC |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260 |
| Maximum Collector Current | 50 mA |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 200 mV |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V |
| Maximum Current Transfer Ratio @ Current | 260% |
| Maximum Fall Time | 18 us |
| Maximum Forward Voltage | 1.4 V |
| Maximum Input Current | 50 mA |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Maximum Reverse Voltage | 6 V |
| Maximum Rise Time | 18 us |
| Minimum Isolation Voltage | 5000 Vrms |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Channels per Chip | 1 |
| Operating Temperature | -55 to 110 °C |
| Output Type | DC |
| Typical Forward Voltage | 1.2 V |
| Automotive | No |
| Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 5 |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Collector Current (mA) | 50 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 200 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 70 |
| Maximum Current Transfer Ratio (%) | 260 |
| Maximum Fall Time (us) | 18 |
| Maximum Forward Current (mA) | 50 |
| Maximum Forward Voltage (V) | 1.4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 110 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Maximum Reverse Voltage (V) | 6 |
| Maximum Rise Time (us) | 18 |
| Minimum Current Transfer Ratio (%) | 130 |
| Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 5000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Output Device | Transistor |
| Packaging | Box |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 4 |
| Pin Count | 4 |
| PPAP | No |
| Standard | UL|DIN |
| Standard Package Name | DIP |
| Supplier Package | PDIP Black |
| Typical Fall Time (us) | 3 |
| Typical Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Typical Rise Time (us) | 4 |
| Вес, г | 0.23 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 362 КБ
Документация
pdf, 355 КБ
Datasheet FOD817
pdf, 201 КБ
FOD814, FOD817
pdf, 334 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Оптопары с транзисторным и диодным выходом»
