AOT10B60D, Транзистор: IGBT, 600В, 10А, 82Вт, TO220, Eвыкл: 0,07мДж
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
от 5 шт. —
400 руб.
от 25 шт. —
314 руб.
от 100 шт. —
274.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор БТИЗ AOT10B60D от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR - это высококачественный IGBT компонент с монтажом THT, предназначенный для работы в условиях высоких напряжений. Способен выдерживать ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер до 600 В. Корпус типа TO220 обеспечивает надежную и удобную установку. Этот транзистор идеально подходит для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику, управление двигателями и преобразование энергии. Использование AOT10B60D гарантирует высокую эффективность и надежность ваших проектов. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 10 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Корпус | TO220 |
Технические параметры
| Case | TO220 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter saturation voltage | 1.53V |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate charge | 17.4nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 82W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Turn-off switching energy | 0.07mJ |
| Turn-off time | 80.8ns |
| Turn-on switching energy | 0.26mJ |
| Turn-on time | 25ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.932 |
Техническая документация
Datasheet AOT10B60D
pdf, 659 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
