IGW25T120, Транзистор БТИЗ, 1,2кВ, 25А, 190Вт, PG-TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 410 руб.
от 5 шт. —
1 100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 410 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 25A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 190W |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IGW25T120FKSA1
pdf, 349 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
