IXTP120P065T, Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 640 руб.
от 3 шт. —
1 450 руб.
от 10 шт. —
1 130 руб.
от 50 шт. —
917.57 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 640 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\P channel transistors
Описание Транзистор P-MOSFET, TrenchP™, полевой, -65В, -120А, 298Вт, 53нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Drain current | -120A |
| Drain-source voltage | -65V |
| Gate charge | 185nC |
| Gate-source voltage | ±15V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 10mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 298W |
| Reverse recovery time | 53ns |
| Technology | TrenchP™ |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Вес, г | 2.058 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 187 КБ
