BC850BLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 руб.
от 10 шт. —
23 руб.
от 100 шт. —
9.80 руб.
от 500 шт. —
6.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 руб.
Описание
Описание Биполярный транзистор NPN BC850BLT1G от производителя ONSEMI выделяется своими компактными размерами благодаря монтажу SMD в корпусе SOT23. Этот компонент поддерживает ток коллектора на уровне 0,1 А и имеет напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, при этом мощность устройства составляет 0,225 Вт. Изделие BC850BLT1G обеспечивает надежную работу в разнообразных электронных схемах, став незаменимым элементом в области применения, где требуется стабильность и высокая производительность. Его применение включает в себя, но не ограничивается, усилительными цепями, переключающими устройствами и схемами управления. Код товара BC850BLT1G повторно подчеркивает уникальность данного транзистора, подтверждая его востребованность среди профессионалов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.1 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 0.225 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Material | Si |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 15 |
Minimum DC Current Gain | 200@2mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 300 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-23 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.94 |
Package Length | 2.9 |
Package Width | 1.3 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
Continuous Collector Current | 0.1 A |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 200 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 100 MHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 0.1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation | 225 mW |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | BC850BL |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 50 V dc |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Power Dissipation | 225 mW |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары