BC850BLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 225мВт, SOT23

Фото 1/6 BC850BLT1G, Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 225мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 руб.
от 10 шт.23 руб.
от 100 шт.9.80 руб.
от 500 шт.6.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 44 руб.
Номенклатурный номер: 8002591918
Артикул: BC850BLT1G

Описание

Описание Биполярный транзистор NPN BC850BLT1G от производителя ONSEMI выделяется своими компактными размерами благодаря монтажу SMD в корпусе SOT23. Этот компонент поддерживает ток коллектора на уровне 0,1 А и имеет напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, при этом мощность устройства составляет 0,225 Вт. Изделие BC850BLT1G обеспечивает надежную работу в разнообразных электронных схемах, став незаменимым элементом в области применения, где требуется стабильность и высокая производительность. Его применение включает в себя, но не ограничивается, усилительными цепями, переключающими устройствами и схемами управления. Код товара BC850BLT1G повторно подчеркивает уникальность данного транзистора, подтверждая его востребованность среди профессионалов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В 45
Мощность, Вт 0.225
Корпус SOT23

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BC850BL
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Maximum Collector Base Voltage 50 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 100 MHz
Maximum Power Dissipation 225 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 167 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847CLT3G
pdf, 105 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов