IS61C256AL-12TLI, Микросхема SRAM 5V 32kx8 12ns TSOP28

Фото 1/2 IS61C256AL-12TLI, Микросхема SRAM 5V 32kx8 12ns TSOP28
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 руб.
от 5 шт.450 руб.
от 25 шт.342 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.
Номенклатурный номер: 8002592201
Артикул: IS61C256AL-12TLI

Описание

Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные
Описание Микросхема SRAM 5V 32kx8 12ns TSOP28 Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид DRAM

Технические параметры

Access Time 12ns
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0041
Memory Format SRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 256Kb (32K x 8)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 28-TSSOP (0.465"", 11.80mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 28-TSOP I
Technology SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply 4.5V ~ 5.5V
Write Cycle Time - Word, Page 12ns
IC Case / Package TSOP-I
Memory Configuration 32K x 8bit
SRAM Type Asynchronous SRAM
Время Доступа 12нс
Диапазон Напряжения Питания 4.5В до 5.5В
Количество Выводов 28вывод(-ов)
Конфигурация Памяти SRAM 32К x 8бит
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальное Напряжение Питания 5.5В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 4.5В
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Номинальное Напряжение Питания
Плотность Памяти 256Кбит
Размер Памяти 256Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти TSOP-I
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 0.24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 518 КБ
Datasheet
pdf, 695 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем