IS61C256AL-12TLI, Микросхема SRAM 5V 32kx8 12ns TSOP28
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
510 руб.
от 5 шт. —
450 руб.
от 25 шт. —
342 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 510 руб.
Описание
Полупроводники\Микросхемы\Памяти - микросхемы\Памяти SRAM - микросхемы\Памяти SRAM параллельные
Описание Микросхема SRAM 5V 32kx8 12ns TSOP28 Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | DRAM |
Технические параметры
Access Time | 12ns |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0041 |
Memory Format | SRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 256Kb (32K x 8) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 28-TSSOP (0.465"", 11.80mm Width) |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 28-TSOP I |
Technology | SRAM - Asynchronous |
Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
Write Cycle Time - Word, Page | 12ns |
IC Case / Package | TSOP-I |
Memory Configuration | 32K x 8bit |
SRAM Type | Asynchronous SRAM |
Время Доступа | 12нс |
Диапазон Напряжения Питания | 4.5В до 5.5В |
Количество Выводов | 28вывод(-ов) |
Конфигурация Памяти SRAM | 32К x 8бит |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 4.5В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 5В |
Плотность Памяти | 256Кбит |
Размер Памяти | 256Кбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-I |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем