IRFZ46NL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
490 руб.
от 2 шт. —
380 руб.
от 5 шт. —
307 руб.
от 10 шт. —
279.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Электроэлемент
Транзистор: N-MOSFET; полевой; HEXFET; 55В; 53А; 120Вт; TO262
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 53 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 16.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3800 |
| Military Qualified | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (?C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Standard Package Name | I2PAK |
| Supplier Package | TO-262 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 72(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 72(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1696@25V |
| Id - непрерывный ток утечки | 53 A |
| Pd - рассеивание мощности | 120 W |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес, г | 2.556 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 682 КБ
Документация
pdf, 684 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
