IXFH110N25T, Транзистор N-MOSFET, 250В, 110А, 694Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 240 руб.
от 3 шт. —
1 780 руб.
от 10 шт. —
1 510 руб.
от 30 шт. —
1 418.66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 240 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор N-MOSFET, 250В, 110А, 694Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Drain current | 110A |
Drain-source voltage | 250V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 157nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 26mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 694W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Continuous Drain Current (Id) | 110A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 24mΩ@55A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 250V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@3mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 9.4nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 694W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 157nC@10V |
Type | null |
Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Littelfuse/IXYS IXFH110N25T
pdf, 189 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов