IXTH88N30P, Транзистор: N-MOSFET, PolarHT™, полевой, 300В, 88А, 600Вт, TО247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 920 руб.
от 3 шт. —
2 300 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 920 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор полевой IXTH88N30P от известного производителя IXYS – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 88 А и напряжением сток-исток 300 В, этот транзистор способен выдерживать мощность до 600 Вт, что делает его идеальным для тяжелых промышленных применений. Сопротивление в открытом состоянии всего 0,04 Ом гарантирует его высокую эффективность. Устройство упаковано в надежный корпус TO247, который обеспечивает удобную установку и длительный срок службы. Обеспечьте вашу технику надежными компонентами, используя IXTH88N30P для ваших электронных схем. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 88 |
| Напряжение сток-исток, В | 300 |
| Мощность, Вт | 600 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.04 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Drain current | 88A |
| Drain-source voltage | 300V |
| Gate charge | 180nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 40mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 600W |
| Reverse recovery time | 250ns |
| Technology | PolarHT™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet IXTQ88N30P
pdf, 324 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
