SKM300GA12T4, Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 300А, D59
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт., срок 7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
31 410 руб.
от 3 шт. —
27 290 руб.
от 8 шт. —
23 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 31 410 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete semiconductors modules\IGBT modules\Semiconductors
Описание Транзистор БТИЗ SKM300GA12T4 от известного производителя SEMIKRON представляет собой высокопроизводительный IGBT модуль, предназначенный для мощных промышленных применений. Особенностью этого транзистора является его монтаж на радиатор с использованием винтов, что обеспечивает надежное и устойчивое соединение. С током коллектора в 324 А, данный компонент идеален для задач, требующих большой мощности. Корпус SEMITRANS4 обеспечивает улучшенный теплоотвод и компактность устройства. Модель SKM300GA12T4 является отличным выбором для разработчиков современного энергетического оборудования, требующего надежности и долговечности. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | винтами |
| Ток коллектора, А | 324 |
| Корпус | SEMITRANS4 |
Технические параметры
| Application | frequency changer, Inverter |
| Case | SEMITRANS4 |
| Collector current | 300A |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | SEMIKRON DANFOSS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Pulsed collector current | 900A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Type of module | IGBT |
| Version | D59 |
| Channel Type | N |
| Collector Current (DC) | 422(A) |
| Collector-Emitter Voltage | 1200(V) |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Screw |
| Operating Temperature (Max) | 175C |
| Operating Temperature (Min) | -40C |
| Operating Temperature Classification | Automotive |
| Package Type | CASE SEMITRANS-4 |
| Pin Count | 4 |
| Rad Hardened | No |
| Вес, г | 308.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 525 КБ
Документация
pdf, 385 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
