DMG6968U-7, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 20В, 6,5А, 1,3Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 320 руб.
Посмотреть аналоги4
Описание
Описание Транзистор полевой DMG6968U-7 от производителя DIODES INCORPORATED – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа с помощью SMD технологии. Он обладает током стока 6,5 А и напряжением сток-исток 20 В, что обеспечивает его надежную работу в различных электронных устройствах. С мощностью 1,3 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,021 Ом, этот компонент обеспечивает эффективную и энергосберегающую работу. Корпус SOT23 обеспечивает удобство интеграции в печатные платы и компактность конструкции. Воспользуйтесь преимуществами DMG6968U7 для повышения производительности ваших электронных проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 6.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 1.3 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.021 |
| Корпус | SOT23 |
Технические параметры
| Base Product Number | DMG6968 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 151pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 1.3 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.4mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
